PV制造光电生产过程和资源中有一些与其他应用共享,特别是计算机电子芯片、手机和任何其他电子设备竞争导致晶状细胞供应不足
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制造硅当今大多数太阳能电池的原材料是晶状硅幸运的是,硅是以沙形式最广可用元素之一硅切成薄片前必须净化,否则光效效率不高太阳能电池纯度不一定要像芯片应用一样高太阳级纯度99.99%(5N),电子级硅纯度99.999999%(9N)。 |
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制造流程三大类,产生不同的纯度: 电子级硅:9N三大步骤生成高纯度多晶素
- 可口可乐减法:冶金级纯度98.5%的硅由弧炉采石沙产生,温度非常高
- 蒸馏法 :第二步,冶金级硅粉分解氯化氢并随后蒸馏成硅气在大多数情况下,这是三氯西拉内,但可能是其他
- 西门子进程中所谓的西门子进程多晶素高温生长需要氢并生产更多氢化物作为副产品
中级硅:6-7N西门子堆耗资巨大 西门子进程本身需要大量能量数项新专利流程降低硅生产耗能和资本成本,尽管它们仍然与传统西门子进程相似
- 流化贝德堆:操作温度低得多,不产生副产品
- 流水沉降式电路(Tokuyama)相似西门子快速提取
升级冶金级硅: > 5N在一个完全不同的过程里 冶金级硅用化学精炼透过硅熔化释放气体,消除和磷杂质,并继之以方向固化Timminco公司、Arise公司或RSI硅公司都开发了自有过程避免高净化可大幅降低制造成本但由于高纯度硅成本下降,UMG没有看到故障 |
制造Wafers 主要由三种不同的硅片类型不同性能
- 单晶状瓦法单连续晶体结构硅从微粒晶体中生长出,从多硅熔化成圆柱形内核(Czoralski进程)。插头用钻石锯切成片锯木过程产生的硅废物可回收成多硅
- 聚晶线瓦法聚晶素由单晶素小粒子组成立方形内核可直接铸成熔化聚硅,然后切成长曲状与单晶状微粒相似
- 硅丝带:薄带或多晶素板从多硅熔接续切片不产生废品,因为抽布已经是raffer-thin硅丝带需要约5g瓦特硅而不是8g/W使用晶状微粒
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制造单元水晶线晶状细胞用硅片编织单机制造过程多单元联结组成模块晶体模块制造过程由四种不同过程组成:聚硅生产、Ingot和Wafer制造、细胞制造和模块制造
薄辉Thin表示半导体层比晶状细胞大约1/100倍制造过程从薄相片寄存基底开始,它可以是玻璃片或透明胶片后胶片结构相似晶体模块与晶状模块不同,薄膜模块的制造过程是一个无法分割的单进程
Cdte-薄膜需要220kgm |
主要由三种不同的硅片类型不同性能
